Võimsus MOSFET 10N60

Võimsus MOSFET 10N60,10N60 ANDMELEHT:

Funktsioonid

Madal RDS (sees)

Madal väravalaeng (tüüp Qg=31,4 nC)

100% UIS testitud

RoHS-iga ühilduv

Rakendused

Võimsusteguri korrigeerimine.

Lülitatud režiimiga toiteallikad.

LED-draiver.

Absoluutsed maksimumhinnangud

10N60 MOSFET: suure jõudlusega jõutransistorid

10N60 MOSFET on suure jõudlusega jõutransistor, mis on valmistatud täiustatud tasapinnalise VDMOS-tehnoloogia abil. Selle tulemuseks on seade, millel on madal juhtivustakistus, suurepärane lülitusjõudlus ja kõrge laviinienergia.

Selle MOSFETi üks põhiomadusi on madal RDS(on), mis aitab tagada tõhusa toiteedastuse, minimeerides voolukadusid. Lisaks on sellel madal paiselaeng (tüüpiline Qg=31,4 nC), mis tähendab, et seda saab madala pingesignaali abil hõlpsasti juhtida.

Optimaalse jõudluse ja töökindluse tagamiseks testitakse iga 10N60 MOSFET-i 100% UIS-i (Unclamped Inductive Switching) suhtes, et tagada selle ohutult taluda kõrgepinge siirdeid ja kaitsta ootamatute pingetõusude põhjustatud kahjustuste eest.

10N60 MOSFET on RoHS-iga ühilduv, mis tähendab, et see ei sisalda ohtlikke materjale ja vastab Euroopa Liidu poolt kehtestatud keskkonnastandarditele.

Üldiselt on 10N60 MOSFET suurepärane valik paljude suure võimsusega rakenduste jaoks, nagu toiteallikad, mootori juhtimine, kõrgsagedusmuundurid ja muud tööstuslikud rakendused. Tänu oma suurepärasele jõudlusele ja töökindlusele aitab see MOSFET teil saavutada jõuelektroonikaprojektides optimaalseid tulemusi.

FRQ:

K: Kui pikk on teie tarneaeg?

V: Üldine tarneaeg on 1-3 nädalat pärast tellimuse kinnituse saamist. Anther, kui meil on kaup laos, kulub selleks ainult 1-2 päeva.

K: Kas pakute näidist? Kas see on tasuta?

V: Kui proov on madala väärtusega, anname teile testimiseks 20-30 tk.

Kuum tags: Power MOSFET 10N60, Hiina, tarnijad, tootjad, tehas, turustajad, pakkumine, inventar, Shenzhen, OEM, laos