Transistor

Bipolaarne ristmik transistor (BJT)
Bipolaarsed ristmike transistorid on transistorid, mis on üles ehitatud kolmest piirkonnast, alus, koguja ja emitter . bipolaarsed ristmike transistorid, erinevad FET-transistorid, on voolukontrollitud seadmed . {{{4} baaspiirkonna {{{{{{{{{{{{{{4). Ühendused transistorid on kahes peamises tüübis, NPN ja PNP . NPN -transistor on üks, milles suurem osa praegustest kandjatest on elektronid .

Emitterilt kogujasse voolav elektron moodustab suurema osa voolu voolu aluse läbi transistori ., mida täiendavad laadimisliigid, augud, on vähemus . PNP transistorid on vastupidine . PNP -transistorides, mis on saadaval kahes tüübis {3 {3} tüübid. Npn .

PNP transistor
See transistor on veel üks tüüpi BJT-bipolaarne ristmike transistorid ja see sisaldab kahte p-tüüpi pooljuhtide materjali . Need materjalid on jagatud õhukese N-tüüpi pooljuhtide kihi kaudu . nendes transistorites, enamuse laengud on 4-aastased {vähesed laengud {väikesed karvad.

Selles transistoris tähistab noole sümbol tavalist voolu voolu .. Vooluvoolu suund selles transistoris pärineb emitteriterminalist kuni kogujaterminali ..

NPN transistor
NPN on ka üks tüüpi BJT (bipolaarsed ristmike transistorid) ja see sisaldab kahte N-tüüpi pooljuhtide materjali, mis on jagatud õhukese P-tüüpi pooljuhtide kihi kaudu . NPN-i transistoris, enamus laengukanded on EM-id EMCORN-ist, kui EM-id on terminaalsed {3-i terminalid {3 {3 Vormi voolu voog transistori . põhiklemmi sees

Transistoris võib vähem voolukogus baaterminalis põhjustada emitteriterminalist tohutult palju voolu kogujat ., praegu on tavaliselt kasutatavad BJT -d NPN -transistorid, kuna elektronide liikuvus on kõrgem võrreldes aukude liikuvusega. NPN -i transistor sümboliga on {{{{{{{{{{{{{{{

Põllumõju transistor
Field Effect Transistors are made up of 3 regions, a gate, a source, and a drain. Different bipolar transistors, FETs are voltage-controlled devices. A voltage placed at the gate controls current flow from the source to the drain of the transistor. Field Effect transistors have a very high input impedance, from several mega ohms (MΩ) Vastupidavuse paljudele, palju suurematele väärtustele .

See kõrge sisendtakistus põhjustab nende kaudu väga vähe voolu . (vastavalt OHMi seaduse kohaselt, ahela . impedantsi väärtus, kui impedants on kõrge, on vooluvool väga madal .), nii et see on väga vähe voolualllikas, nii et see on väga vähe voolualllikas .) pöördvõrdeliselt.

Seega on see ideaalne, kuna need ei häiri algseid vooluahela elektrielemente, millega need on ühendatud . -ga. Need ei põhjusta toiteallika laaditamist .. FET -i puudust on see, et need ei paku sama amplifikatsiooni, mis võiks saada bipolaarsetelt transistoritest..

Bipolaarsed transistorid on paremad selles osas, et need pakuvad suuremat amplifikatsiooni, isegi kui FET -id on paremad, kuna need põhjustavad vähem laadimist, on odavamad ja hõlpsamini toota . väljatransistorid on kahes peamises tüübis: JFETS ja MOSFET .} JFETS on väga sarnased, kuid MOSFETS on väga sarnased, kuid MOSFETS on väga sarnased, kuid MOSFETS on väga sarnased. See põhjustab vooluringis . FET -transistorides veelgi vähem laadimist kahte tüüpi, nimelt JFET ja MOSFET .

JFET
JFET tähistab ristmike-field-efekti transistori . See on lihtne, aga ka algtüübid FET-transistorid, mida kasutatakse nagu takistid, võimendid, lülitid jne . See on pingega kontrollitud seade ja see ei kasuta mingeid vooluhulgaid ja mis on vooluvääride hulgast vooluvääride hulgast. JFET -transistori allikas ja äravool .

Ühendivälja efekti transistoril (Jugfet või JFET) puudub PN-Junctions, kuid selle asemel on kitsas osa kõrgetakistusega pooljuhtide materjalist, mis moodustab enamuse kandja n-tüüpi või p-tüüpi räni "kanali", et voolata läbi kahe oomilise elektriühenduse, milleks on mõlemad normaalsed dreenitavad ja 3-ndaks {3 {3 {3 {3 {3 {3}.

ÜHENDUSvälja-EFFECT Transistori, N-kanali JFET ja p-kanali JFET .}} N-CHANNEL JFET-i kanal legeeritakse doonori lisanditega, mis tähendab, et voolu vool on kanalit NEGIT, ja seega n-kanalitega {6}, on nende Electrons {6}. N-kanali tüübid .

Mosfet
MOSFET-i või metalli-oksiidi-semikudori välja-efekti transistori kasutatakse kõige sagedamini igasuguste transistoride vahel ., nagu nimigi ütleb, see sisaldab metallvärava klemmi . See transistor sisaldab nelja terminali, näiteks allika, äravoolu, värava ja substraat või keha.
Võrreldes BJT ja JFET-ga, on MOSFETS-il mitmeid eeliseid, kuna see pakub kõrge I/P impedantsi, samuti madala O/P impedantsi . MOSFETS-i kasutatakse peamiselt vähese energiatarbimisega, eriti kiipide kujundamisel . on need transistorites saadaval kahte tüüpi, nagu need on, et need on esitatud, et need on katted, mis on mõeldud {2-aastased {2-aastased {{{{{}. N-kanali tüübid .