Millised on IoT arendamisel kommunikatsiooniterminalides dioodide uued nõuded?

1, kõrgsagedusnõudlus: 5G ja millimeetri laine kommunikatsiooni innovatsioon RF -dioodides
5G tugijaama tiheduse taustal ulatudes 10 -ni ruutkilomeetri ja millimeetri laine kommunikatsioonisagedusribaga läbi 30 GHz, suurenevad RF -dioodide kommunikatsiooniterminalide jõudlusnõuded. Traditsioonilised PIN -dioodid ei suuda enam täita keerulisi funktsionaalseid nõudeid, näiteks kõrge - sageduse vahetamine, segamine ja tuvastamine. Gallium nitriid (GAN) põhinevad kõrged - sagedusdioodid on muutunud uue põlvkonna kommunikatsiooniterminalide põhivalikuks tänu nende 10 korda suuremale elektronide liikuvuse tõttu kui räni - põhinevad seadmed.
Tehnoloogiline läbimurde juhtum: Infineoni Gan High - sageduslülitusdiood saavutab 28 GHz sagedusribal 0,5NS, mis on 80% kiirem kui traditsioonilised seadmed, vähendades samas sisestuskaot 1,2 dB -lt 0,3db -ni. Seda seadet on rakendatud Huawei 5G CPE seadmetele, parandades signaali ülekande efektiivsust 35%.
Turunõudluse andmed: QYResearchi prognoosi kohaselt kasvab globaalne kõrge - sagedusdiooditurg keskmise aastamääraga 18% vahemikus 2025–2030, kusjuures V2X terminali seadmed suurenevad 12% -lt 2025 -lt 28% -l 2030. aastal. Viimane Tesla mudel S -Plaid -mudel kasutab integreerimist 12 -aastaselt, mis on vajalik, mis Kõrge - sagedusdioodid ühiku kohta, suurendades kasutamist eelmise põlvkonna mudeliga võrreldes 300%.
2, miniaturiseerimine ja integratsioon: kantava seadme draiveri pakenditehnoloogia iteratsioon
IoT -terminaalsete seadmete keskmine suurus on vähenenud 62% võrreldes 2015. aastaga, mis kehtestab dioodide pakendi tiheduse ranged nõuded. Võttes näitena Apple AirPods Pro, on ühe kõrvaklapi siseplaadi pindala ainult 12 mm ², kuid see peab integreerima kuus peamist funktsionaalset moodulit, näiteks energiahaldus, traadita laadimine ja müra mahasurumine. Traditsiooniline SOT-23 pakett ei saa enam ruumi nõudeid täita.
Pakenditehnoloogia innovatsioon: 0201 suurus (0,6 × 0,3 mm) ultra väike telerite diood, mille välja töötas Murata Manufacturing, kasutab 3D -virnastamise tehnoloogiat, et suurendada mahtuvuse väärtust 10 protsendilt 100 protsendile, vähendades samal ajal kinnituspinget 18 V 12 V. Seda seadet on rakendatud Xiaomi Mi Band 7 NFC moodulile, lühendades makse reageerimise aega 0,3 sekundini.
Tööstuse ahela koostööjuhtum: Samsung Electronics ja Anson Semiconductor töötasid ühiselt DFN1.0 × 1,0 pakendatud Schottky diood, mis vähendab vase samba ühendamise tehnoloogia kaudu vastupidavust 8m Ω-le, vähendades seda 72% võrreldes traditsiooniliste SOD-123 pakenditega. See seade saavutab Samsung Galaxy Watchi 5 traadita laadimismooduli energia muundamise efektiivsuse 98,7%.
3, kõrge turvanõuded: Tööstuslik asjade internet juhib uue pala andmedioodide tekkimist
Intelligentse tootmise kontekstis genereerib ühe tehase päevas 1,2 pb tööstuslikke andmeid, millest 32% hõlmab põhiprotsessi parameetreid. Traditsioonilised tarkvara tulemüürid ei suuda enam täita tööstuslikus juhtimissüsteemides turvalisuse arhitektuuri nõudlust ja riistvara taseme andmedioodid on muutunud võtmelahenduseks, mis tagab ühe - -i viisil andmeedastuse.
Tehniline põhimõte läbimurre: OWL Cyber ​​Defense'i välja töötatud TRESYS -i andmedioodi kasutab optilist sidumise eraldamise tehnoloogiat füüsiliste kihtide andmete ühesuunalise edastamise saavutamiseks ja lahendab TCP/IP -protokolli kinnitusprobleemi puhverserveris ehitatud - kaudu. Pärast juurutamist SIEMENS S7-1500 PLC süsteemis vähenes võrgurünnakute tekkimise tõenäosus 99,2%.
Turu suuruse ennustamine: QyResearchi andmetel peaks tööstuslike asjade Interneti andmedioodide globaalne turu suurus 2024. aastal 210 miljonit USA dollarit ja eeldatavasti ületab see 2029. aastal 356 miljonit USA dollarit, mille aastane kasvumäär on 11,3%. Nende hulgas on suurim osakaal (38%), millele järgneb intelligentne tootmine (32%) ja intelligentne transport (19%).
4, Madal energiatarve ja kõrge töökindlus: LPWAN -tehnoloogia ümber kujundab dioodide disainiparadigma
Madala -} võimsusega laias piirkonna võrgu (LPWAN) tehnoloogia, näiteks Lora ja NB IoT populariseerimise kontekstis on kommunikatsiooniterminalid esitanud ranged nõuded dioodide staatilise voolu ja temperatuuri omaduste jaoks. Võttes näitena põllumajanduse IoT -andureid, peavad nad pidevalt töötama - 40 kraadi kuni 85 kraadi 10 aasta jooksul. Traditsiooniliste ränipõhiste dioodide lekkevool suureneb temperatuuri tõusuga hüppeliselt.
Materiaalse innovatsiooni juhtum: ROHMi pooljuhti välja töötatud sic Schottky diood suudab säilitada vastupidise lekkevoolu alla 0,1 μ A kõrgel temperatuuril 150 kraadi, mis on kolm suurusjärku madalamal kui räni - põhinevad seadmed. Seda seadet on rakendatud DJI põllumajanduse droonide RTK positsioneerimismoodulile, pikendades ühe laadimisaega 45 minutilt 72 minutile.
Usaldusväärsuse standardiuuendus: AEC - Q101 Automotiväärsete klasside sertifitseerimine nõuab dioodeid, et läbida 1000-tunnine kõrge - temperatuuri vastupidise kallutatuse test 125 kraadi keskkonnas, samas 175 kraad.
5, tehnoloogiline evolutsiooni suund: kolmanda põlvkonna pooljuhtide ja optoelektroonika integreerimine
Seistes silmitsi IoT -terminalide dioodide liitvajadusega, kiirendab tööstus oma läbimurret kolmanda - põlvkonna pooljuhtmaterjalide ja optoelektroonilise integratsioonitehnoloogia poole
GAN -i toiteseade: Infineon Coolgan ™ Dioodide seeria on saavutanud 200 V/10A rakendused ja saavutanud Xiaomi 12S Ultra nutitelefonide kiire laadimismooduli energia muundamise efektiivsuse 96,8%.
SIC Photodiode: Hiina teaduse ja tehnoloogia ülikooli välja töötatud kolm elektroodi fotodioodi, mis suurendab optilise suhtluse ribalaiust 60% võrra põllumõjude reguleerimise kaudu, pakkudes tehnilisi reserve 6G fotoonilise integreeritud vooluahela jaoks.
Intelligentne diood: TI -i TPD2E007 Intelligentne ESD kaitsekiip integreerib ise diagnostilise funktsiooni seadme oleku jälgimiseks reaalajas, saavutades Huawei Mate 50 mobiiltelefoni 99,99% ESD kaitse edukuse määra.
https://www.trrsemicon.com/transistor/voltage{2 {2} }regulators/bridgeLi {3 }RectIfiers Irectifiers Irectifiers