Dioodide rakendamine mobiiltelefonide kiire laadimistehnoloogias

1, kiire laadimistehnoloogia peamised väljakutsed ja dioodide strateegiline väärtus
Nutitelefonide valdkonnas on kiire laadimistehnoloogia muutunud võtmenäitajaks kasutajakogemuse parandamiseks. Laadimiskiiruse kitsaskoht ei seisne aga mitte ainult laadimispea võimsuses, vaid ka vooluringis energia muundamise tõhususes. Kuna põhiseadme rektifitseerimiseks, vabakäiguks ja klambiks, mõjutab dioodide jõudlus otseselt võimsuse tihedust, temperatuuri tõusu juhtimist ja laadijate mahu optimeerimist.
Võttes näitena traditsioonilisi ränidioode, on nende edasiliikumispinge langus (VF) umbes 0,7 V. 100W laadija korral tekitab ainult rektifitseerimise lingil umbes 7W kadu (arvutatud väljundvoolu põhjal 5A). Kui kasutatakse Schottky dioodi (VF =0.3 V), saab kaotust vähendada 3W -ni ja tõhusust saab parandada 4%. Kõrgetes - sageduslülitus toiteallikad võivad dioodide liiga pikk tagasipöördumisaeg (TRR) põhjustada pingetõusud, sundides disainereid kasutama suuremaid mahutavusega filtreerimiskondensaatoreid ja magnetilisi komponente, suurendades mahtu ja kulusid.
2, tulevased tehnoloogiasuundumused ja innovatsiooni juhised
Materjalide uuendus
GAN DIODE: Laboriproovide VF on vähendatud 0,1 V -ni, toetades GHz taseme lülitussagedusi ja eeldatakse, et see turustatakse 2026. aastaks.
Teemantdiood: soojusjuhtivusega 2200W/m · K lahendab see soojuse hajumise kitsaskoha ja sobib kõrge - toitetiheduse stsenaariumide jaoks.
Tehnoloogiline läbimurre
3D -pakend: TSV -tehnoloogia võimaldab dioodide ja juhilaastude vertikaalset virnastamist, vähendades parasiitide induktiivsust 60%.
Digitaalne toiteallikas: adaptiivsete algoritmide ühendamine dioodide töörežiimi dünaamiliseks reguleerimiseks, tõhususe kõikumistega alla 1%.
Süsteemi taseme optimeerimine
Hübriidtopoloogia: SIC -dioodide kombineerimine räni - põhiseadmetega, tasakaalustades kõrgsagedust ja odavaid kulusid.
Integreeritud moodul: näiteks integreerib toitemoodul dioodid, MOSFETS ja draiveri vooluahelad, vähendades suurust 50%.
3, turupõhine ja ökoloogiline sünergia
Tarbijaelektroonika: kasvab nõudlus 5G -seadmete ja AR/VR -seadmete järele ning kõrge - efektiivsusdioodide arv ulatub eeldatavasti 8%-ni.
Uued energiasõidukid: autolaadija võtab kasutusele SIC -dioodiskeemi ja iga efektiivsuse suurenemise iga 1% suurenemise vahemik suureneb 2km võrra.
Standardne evolutsioon: USB PD3.1, QC5.0 ja muud protokollid suunavad laadijate arendamist kõrge sageduse ja suure võimsusega, sundides diooditehnoloogia innovatsiooni.
https://www.trrsemicon.com/diode/smd/smd {2} }diode/gs1a